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商品說明



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DDR3為新一代記憶體規格，相較於DDR2之4位元預取緩衝架構，DDR3的8位元預取緩衝架構可提供更快的傳輸速率及更大的傳輸頻寬；搭配雙核心或四核心的處理器，能大幅提昇電腦系統的整體效能。此外，DDR3記憶體模組的工作電壓為1.5 伏特，相對於需要1.8伏特電壓的DDR2模組而言，能有效減低20%至30%的耗電量，並確保高速運算時的系統穩定度及效能。








記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
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※商品圖檔顏色因電腦螢幕設定差異會略有不同，以實際商品顏色為準
※以上規格資料若有任何錯誤，以原廠所公佈資料為準。









記憶體類型： DDR3 Memory
針腳及模組： 240Pin Long-DIMM
頻率： DDR3-1333MHz
功能： ECC Registered Memory
容量： 8GB
顆粒： 512Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓： 1.35 V
ＣＬ值： 11

產品特色:



























商品規格











創見8GB DDR3 Memory 240Pin Long-DIMM DDR3-1333 ECC Registered Memory







資料來源：創見

產品型號:TS1GKR72W3H













創見 DDR3-1066及DDR3-1333桌上型電腦專用之盒裝記憶體模組採新式Fly-by電路架構設計，可使DRAM與控制器 (Controller)間的訊號傳輸更有效率；支援ODT（On-DIMM Termination）技術，可降低高速運作時記憶體訊號的回授，提高記憶體時脈的極限值。此外，其在佈線路徑、走線長度及電氣特性方面，均完全符合 JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的嚴格規範，可適用於嚴苛的工作環境，並避免雜訊干擾；搭載原廠128Mx8之FBGA記憶體晶片，可提供絕佳的電氣特性及散熱性，大幅提昇系統的整體效能。





創見DDR3低電壓RDIMM記憶體提供無可比擬的穩定性，以及許多記憶體同時安插也不受影響的優異效能，適用於新一代高功率伺服器系統。超低1.35伏特工作電壓，更為記憶體控制器帶來更小的電力負荷以及低耗電等優點。

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